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QT-8400功率器件多Site測試系統(tǒng)

探索第三代電晶體的無限可能

測試主機

GaN

Power Device

QT-8400由測試主機與測試站Test Kit組成，
其中Test Kit分為兩種： Power Device Test Kit & GaN Test Kit。

Test Kit

可根據(jù)需求進行選擇

Power Device Test Kit

面向MOSFET/SIC、二極體、三極管等CP測試需求的 Power Device Test Kit.
GaN Test Kit

面向氮化鎵測試需求的 GaN Test Kit.

105cm

站姿鍵盤高度

75cm

坐姿鍵盤高度

創(chuàng)新標識設計
站坐快速切換

觸動人心的
用戶體驗

8400主機殼從人體工學設計出發(fā)針對設計公司、實驗室和封測廠等不同環(huán)境場所，滿足了用戶站姿與坐姿不同狀態(tài)下的鍵盤操作使用需求，我們設計了獨有的指引標識線，能讓用戶快速的找到站立或坐姿時推薦的鍵盤高度，也可根據(jù)個人身高差異自行微調，極大提升了操作舒適性和效率。

* 已申請專利

創(chuàng)新標識設計
站坐快速切換

觸動人心的
使用者體驗

8400主機殼從人體工學設計出發(fā)針對設計公司、實驗室和封測廠等不同環(huán)境場所，滿足了用戶站姿與坐姿不同狀態(tài)下的鍵盤操作使用需求，我們設計了獨有的指引標識線，能讓用戶快速的找到站立或坐姿時推薦的鍵盤高度，也可根據(jù)個人身高差異自行微調，極大提升了操作舒適性和效率。

* 已申請專利

105cm

站姿鍵盤高度

75cm

坐姿鍵盤高度

並行測試，效率倍增

支持2/4/8/16 Site並行測試，滿足客戶對更高測試效率的需求。

測試需求，全方位覆蓋

QT-8400整機提供20A/100A、1KV/2KV的技術指標，能夠滿足大多數(shù)第三代電晶體的測試需求。如果客戶有更高規(guī)格的需求，我們還支持擴展高壓/直流模組，最高可達8KV，2000A。對於有動態(tài)測試需求的用戶，我們還提供雪崩、RGCG，動態(tài)RDson等模組的擴展，並計畫未來相容更多的動態(tài)測試模組。

QT-8400 GaN

QT-8400 D

測試範圍

專用於氮化鎵動靜態(tài)電參數(shù)測試

測試範圍

專用於 MOSFET/SIC 、二極體、三極管、IGBT等 CP測試。

參數(shù)指標

懸浮 V/I 源
電壓 1KV/2KV
20-100A；

參數(shù)指標

懸浮 V/I 源
電壓1KV/2KV/3KV
20-100A/200A

平行測試數(shù)

2/4/8/16 Site

平行測試數(shù)

2/4/8/16 Site

可擴充動態(tài)模組

LCR測試模組（CG）
動態(tài) RDSON 模組（支援硬切和軟切）

可擴充動態(tài)模組

雪崩測試模組（UIS、EAS）
LCR測試模組（RG、CG）

可擴充高壓/直流模組

最高可擴展8KV, 2KA

可擴充高壓/直流模組

最高可擴展8KV, 2KA

精準測量

Power Device Test Kit內建精密測量電路，實現(xiàn)nA級和mΩ級的精準測量。

精準測量

GaN Test Kit內建精密測量電路，實現(xiàn)nA級和mΩ級的精準測量。

闆卡資源靈活搭配

我們的設備採用可插拔式闆卡架構，讓您可以根據(jù)需求靈活搭配闆卡，從而實現(xiàn)精準把控測試成本。

功能全面，滿足各類需求

測試主機闆卡均為四象限V/I源，配備AWG及示波器，功能全面，滿足如 I-V 曲線等各類掃描測試需求。

內建示波器圖

AWG編輯器

PTS OS 直覺易用，
專為測試&生產而設計

我們對 QT-8400 PTS OS 軟體介面全面優(yōu)化，以提升實用性、美觀性和易用性。大幅提高測試開發(fā)、生產以及調試校準效率，使用戶輕鬆上手高效操作。

* 已申請專利

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