第三代
            半導(dǎo)體測(cè)試家族
            Third generation semiconductor testing family
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            分類(lèi)
             
            QT-3101 UIL 雪崩測(cè)試

            QT-3101 UIL 雪崩測(cè)試適用於測(cè)試MOSFET、IGBT、二極體的雪崩參數(shù)



            支援雙DIE

            快速充電

            失效波形保存

            鉗壓功能

            型號(hào) QT-3101 UIL
            產(chǎn)品優(yōu)勢(shì) 支援VDD ON(E=1/2L*I*I*BVDSS/(BVDSS-VDD))或VDD OFF(E=1/2*L*I*I)測(cè)試
            內(nèi)建示波器
            極限能量掃描測(cè)試
            可設(shè)定單脈衝、多重脈衝或雙MOSFET測(cè)試
            可與QT-4100B共用一臺(tái)電腦,實(shí)現(xiàn)測(cè)試程式與資料統(tǒng)一管理
            主要特點(diǎn) ? 輸出測(cè)量能力:最大測(cè)量BVdss:±3000V最大輸出ID:±150V 、±200A
            ? 可編輯VG MAX:±30V脈寬調(diào)節(jié)(解析度:1us)
            ? 可程式電感箱負(fù)載10μH-159.9mH步進(jìn)10μH
            ? 可程式分選機(jī)介面訊號(hào)24個(gè)

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